III - V族化合物半导体技术以磷化铟（InP）、从材
Luxtera（现属思科）开拓了DFB激光器与硅光子芯片的判断片技破算混合集成妄想，突破了“光进电退”的集成颈物理限度。功耗飞腾30%。光芯技术融会与前沿探究成为之后的术立紧张倾向。且与硅基工艺的异突兼容性仍需优化。增长ZB级算力时期的力瓶到来。并妄想2026年推出50G VCSEL产物。从材良率操作难度较大。判断片技破算光子合计与量子通讯将迎来睁开机缘。集成颈这种技术具备高功能以及低斲丧的光芯清晰优势，
术立插入斲丧小于2dB；旭创科技与中科院相助开拓了铌酸锂光子集成回路（PIC），异突
共封装光学（CPO）架构将光引擎直接集成至ASIC封装内，力瓶化合物半导体晶圆价钱是从材硅基的5 - 10倍，反对于1.6Tbps单波长传输；Vπ小于2V，
技术融会与前沿探究：开启光子芯片新未来
为了进一步提升光子芯片的功能以及运用规模，低功耗的数据处置能耐。功耗飞腾40%；华为宣告了硅光全光交流机，较硅基器件提升2个数目级；波导传输斲丧小于0.1dB/cm，缩漂亮等有源器件，在2028 - 2030年，实现为了100Gb/s传输速率；长光华芯量产了100G EML芯片，光模块市场规模将以17%的复合年均削减率削减，临时而言，需散漫份子束外在（MBE）等详尽技术，在2025 - 2027年，反对于400G/800G相关通讯；二维质料（如石墨烯）具备超宽带可调谐特色，硅光芯片渗透率估量从2025年的25%提升至2030年的60%。实现为了低时延、反对于AI集群的万卡互联；兆驰集成妄想2026年量产CPO模块，实现单片全光子集成。该技术具备超高速以及低驱动电压的特色，从而飞腾制组老本。可能直接集成激光器、调制带宽达100GHz，
新型质料系统的钻研为光子芯片带来了新的可能性。将进入光子-电子融会时期。接管8通道并行传输，2025年，它以光波作为信息载体，该技术具备清晰的工艺优势，有力反对于了AI磨炼集群的超高带宽需要。硅基光子集成技术依靠成熟的CMOS工艺，晶圆加工易开裂，目的市场为800G/1.6T数据中间。英特尔硅光芯片在微软Azure数据中间完陋习模化部署，香港都市大学团队运用铌酸锂芯片构建微波光子滤波器，英特尔推出了1.6T硅光模块，磷化铟等质料妨碍异质集成，经由Chiplet架构将光互连延迟飞腾至2ns。调制器、不外，光子芯片作为突破电子芯片功能瓶颈的中间技术，但铌酸锂质料存在脆性，此外，光子芯片的睁开远景广漠。支端庄大光路妄想。光子矩阵运算单元（PMU）有望替换传统GPU，散漫硅基波导实现光电协同妄想。电光调制功能达VπLπ = 0.2V·cm，估量2030年抵达110亿美元，探测器照应度等目的仍落伍于III - V族质料。光子芯片规模组成为了多种主流技术道路。单芯片带宽达1.6Tbps；Ayar Labs推出的TeraPHY光子引擎，可能兼容现有半导体产线，需要开拓专用切割工艺，其高集成度特色使患上单芯片可集成数百个光学元件，光子芯片技术道路泛起出多元化的睁开态势。实现为了400G/800G端口密度提升3倍。运用硅质料实现光波导、2024年，实现为了6GHz带宽内信号处置时延小于1ns。
主流技术道路：从质料立异到零星集成的突破
之后，
中期，需要依赖外部光源。砷化镓（GaAs）为基底，
光迅科技宣告了铌酸锂薄膜调制器芯片，
电子发烧友网报道（文/李弯弯）在全天下科技相助的浪潮中，
写在最后
展望未来，接管硅光子 + DSP混合妄想，台积电的COUPE平台实现为了7nm制程与光子I/O的异质集成，且工艺重大，实用提升了器件功能。其老本高昂，可是，光电混合集成技术经由2.5D/3D封装将硅光芯片与CMOS驱动芯片垂直集成，探测器等光电器件，数据中间与AI算力将成为主要驱能源。功耗较传统妄想飞腾60%。可用于动态光子器件。调制器功能、
在代表企业方面，正逐渐成为各方瞩目的焦点。适用于量子光子芯片；薄膜铌酸锂（TFLN）的调制功能较块状质料提升10倍，斲丧小于0.1dB/cm，高带宽、调制器等器件的集成。博通宣告了51.2T CPO交流机，短期来看，经由将硅与氮化硅、算力密度提升100倍；量子密钥散发（QKD）收集将依赖光子芯片实现城域级拆穿困绕。2025年，氮化硅（Si₃N₄）具备低斲丧波导特色，实现为了800G光模块量产。随着家养智能算力需要呈爆发式削减，光电混合芯片将占有高端合计市场80%的份额，延迟了电信号传输道路，乐成运用于英伟达H200 GPU的光模块。在2030年之后，硅基技术也面临一些挑战。反对于超长距离光互连。硅的直接带隙特色导致其发光功能较低，经由集成激光器、长光华芯为中际旭创提供的25GDFB芯片，
铌酸锂调制技术运用铌酸锂（LiNbO₃）的电光效应实现高速调制，同时，